一种用于静电保护的快速开启SCR器件
提出了一种用于提高静电泄放(ESD)保护器件开启速度的SCR器件(VSCR).VSCR采用了新型的横向基区变掺杂结构(VLBD),其开启速度主要由寄生p-n-p和n-p-n晶体管的基区渡越时间决定,使用VLBD结构能够减小寄生双极型晶体管的基区渡越时间,从而提高SCR器件的开启速度.实验结果证明,在不增加掩膜版数量和芯片面积的前提下,相比于传统均匀基区掺杂的MLSCR器件,采用VLBD结构的VSCR器件的开启速度能够提高12％.
静电泄放、SCR、横向基区变掺杂、内建电场、开启速度
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TN335(半导体技术)
四川省科技支撑资助项目2016GZ0115;中央高校基本科研业务费资助项目ZYGX2015J035
2017-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
826-829
