一种新型片上全差分电感的设计
提出了一种新型的片上全差分电感结构.电感采用全对称的几何形状,消除了传统差分电感因跳线引起的失配,提高了差分电感的性能.基于TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺,对设计的全差分电感进行流片与测量,结果表明,差分电感两端口之间的失配量比传统差分电感下降了28%.
片上电感、差分、无源器件
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
湖北省自然科学基金资助项目2013CFB014;武汉市应用基础研究计划资助项目2014010101010006
2017-01-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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