基于SRL结构的抗辐射SRAM单元设计
在空间辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响了SRAM的可靠性,对航天设备的正常运行构成极大的威胁.提出了一种基于自恢复逻辑(SRL)结构的新型抗辐射SRAM单元,该单元的存储结构由3个Muller C单元和2个反相器构成,并采用读写线路分开设计.单粒子效应模拟实验结果表明,该单元不仅在静态存储状态下对SEU效应具有免疫能力,在读写过程中对SEU效应同样具有免疫能力.
SRAM、抗辐射、自恢复逻辑、单粒子翻转、Muller C单元
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2017-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
796-800
