一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计
基于标准0.35μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路.带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点.根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响应和宽负载宽电压下的环路稳定.采用Cadence EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在整个电压和负载变化范围内,环路增益至少为60 dB,相位裕度至少为75.8°,环路稳定;负载从10 μA跳变至200mA(tr=1 μs)时,输出上冲/下冲电压小于100mV,建立时间为1.4μs;电源电压抑制比(PSRR)约为70 dB@1 kHz;负载调整率为7.75‰,线性调整率为0.7‰,静态功耗约为60μA.
快速瞬态响应、类密勒补偿、无电容型LDO
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
福建省科技厅-集成电路IC技术平台建设资助项目2003Q013
2017-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
762-766,771
