一种宽温范围高稳定CMOS带隙基准源
在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路.该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿.通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,可以得到不受电源电压影响的基准电压.基于0.5μm CMOS标准工艺实现,采用Spectre进行仿真,结果表明:该带隙基准源在室温下产生的基准电压为(1.256 9±0.000 32)V,在-35℃～125℃温度范围内的温漂系数为1.39×10-6/℃;当工作电压为1.8～4.6 V时,输出电压仅变化0.31 mY/V;3 V供电下的功耗为14.69μW;满足胎压监测芯片的设计要求.
带隙基准源、宽温度范围、高温度稳定性、负反馈、胎压监测
46
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
广西自然科学基金资助项目2013GXNSFAA019335;桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目2016YJCX74;广西汽车零部件与整车技术重点实验室开放课题2014KFMS04;广西无线带宽通信与信号处理重点实验室GXKL061505
2017-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
736-739,745
