1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计
利用二维半导体工艺及器件模拟工具,从结掺杂浓度、P阱与P环间距、P环尺寸控制3个方面分析了半绝缘多晶硅终端结构的击穿电压,提出了应用于1 200 V沟槽栅场截止型IGBT的终端解决方案.从结的深度和终端长度两方面,将SIPOS终端技术与标准的场环场板终端技术进行了对比.结果表明,采用SIPOS终端结构并结合降低表面场技术,使得终端尺寸有效减小了58％,并且,采用SIPOS技术的终端区域击穿电压受结深的影响较小,有利于实际制造工艺的控制和IGBT器件稳定性的提升.
IGBT、SIPOS、终端、场环、场板
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TN323+.4(半导体技术)
2016-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
716-720
