一种瞬态增强无片外电容LDO电路
基于CSMC 0.18μm工艺,设计了一款瞬态增强的无片外电容LDO.设计误差放大器时,采用改进的第2级放大器提高功率管栅端的充放电速度,从而提高瞬态响应.采用嵌套密勒补偿方式来保证LDO的稳定性.仿真结果表明,输入电压为2～4.5 V时,LDO的输出电压为1.8V,负载电流在1～300 mA之间具有良好的稳定性,响应时间为1.4μs,最大过冲电压为84 mV.
无片外电容、低功耗、快速瞬态响应、线性稳压器
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61201040,61301006
2016-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
655-658
