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一种CMOS旋转行波压控振荡器

引用
采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种基于微带传输线的旋转行波压控振荡器(RTWO).采用λ/4差分传输线代替传统交叉耦合反相器对的PMOS负载管;通过电磁场建模并优化,获得了高Q值的谐振腔模型,提高了RTWO电路的振荡频率;解决了RTWO电路旋转波形不确定的问题,电路能逆时针起振旋转.该旋转行波压控振荡器的电路版图尺寸为980μm×1 150μm.在1.2V电源电压下,电路输出波形相邻相位差为45°,功耗为24 mW.振荡频率调谐范围为14.06~14.73 GHz,压控电路振荡于14.5 GHz时,其相位噪声为-95 dBc/Hz@1 MHz.

旋转行波压控振荡器、驻波振荡器、谐振腔模型、相位噪声

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TN722.3(基本电子电路)

江苏省自然科学基金资助项目BK20130878,BK2012435,BK20141431;江苏省科技支撑资助项目BE2013130;高等教育博士点基金资助项目20133223120005,20133223110003;江苏省普通高校研究生科研创新计划资助项目SJLX_0374,SJLX_0375

2016-11-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

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2016,46(5)

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