用于相控阵雷达的高线性度低噪声放大器
基于IBM 0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种用于Ku波段相控阵雷达的高线性度低噪声放大器.该放大器采用2级级联结构,第1级优化可获得最小的噪声性能,第2级优化可提高电路的增益和线性输出功率.为了提高线性度,第2级采用了具有线性补偿功能的线性化偏置电路.仿真结果表明,在中心频率为16.5 GHz,带宽为2 GHz的频带范围内,噪声系数小于3.9dB,其最小值为3.22 dB,功率增益大于23.5 dB,输出1-dB压缩点在中心频率处大于6.5 dBm.在3.3V电源电压下,静态功耗为66 mW,芯片面积为(1 245×580)μm2.
相控阵、低噪声放大器、SiGe BiCMOS、线性补偿、单片集成
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金重点项目61331003
2016-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
620-623
