高电流增益SiC BMFET功率特性的优化研究
研究了栅电流及结构参数对SiC双极模式场效应晶体管(BMFET)功率特性的影响.仿真研究的结果表明,SiC BMFET器件的开态电阻和电流增益都会随着栅电流的上升而显著下降.沟道掺杂浓度越低,沟道宽度越窄,双极模式调制器件开态电阻的效果越明显,但同时电流增益会降低.相比于单极模式SiC结型场效应晶体管(JFET),SiC BMFET可以显著提升器件的FOM优值,降低器件功率特性对结构参数的敏感度,同时降低了常关型器件的设计难度.
碳化硅、双极模式场效应晶体管、电流增益
46
TN386(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61504011;陕西省自然科学基金资助项目2015JM6357
2016-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
558-561
