功率AlGaN/GaN肖特基二极管结构优化设计
利用Silvaco-ATLAS软件设计了AlGaN/GaN肖特基二极管(SBD)的基本结构,主要针对功率器件的关键参数-击穿电压进行仿真模拟,分析对比了AlGaN/GaN异质结中Al的组分、二极管阳极与阴极的间距Lac、场板的引入和长度以及FP结构下钝化层Si3N4的厚度t对二极管击穿特性的影响.结果显示,Lac的增加、场板的引入和FP结构下钝化层厚度t的变化均对二极管的击穿特性有所优化,但同时,Al组分的增加和Lac的增加对二极管引入了不同程度的负面影响.仿真结果对器件的实际制作具有一定的指导意义.
AlGaN/GaN肖特基二极管、击穿特性、结构优化
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TN311.7;TN313.4;TN304.2(半导体技术)
国家863基金资助项目2015AA033305
2016-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
553-557
