GNRFET输运特性中的负微分电阻效应研究
利用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的数值分析方法,以均匀型和十字型两种不同类型的石墨烯纳米带作为沟道,研究了石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)的负微分电阻效应.分析了不同类型GNRFET的端口输运性质:均匀型GNRFET具有良好的输运特性;十字型GNRFET由于中间的干破坏了原来两边缘的输运路径,其传输系数均不超过1.十字型GNRFET的输出特性具有明显的负微分电阻效应,且栅电压对此有调控作用.从传输谱的角度给出了GNRFET负微分电阻特性的理论解释和栅压调控的能量图,为微纳器件负微分电阻效应的研究提供了一定的理论依据.
石墨烯纳米带场效应管、负微分电阻效应、输运特性、密度泛函理论、传输谱
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TN386(半导体技术)
四川省教育厅2014年度科研资助项目0300037000957
2016-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
537-541
