一种高线性度低噪声下变频混频器
采用SMIC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种高线性度、低噪声下变频混频器.通过分析跨导级电流3阶展开项系数,优化跨导级偏置电压,在跨导级与开关级之间增加谐振频率为射频信号频率的LC并联谐振电路,在提高电路线性度的同时优化了信噪比.后仿真结果表明,在射频频率为1.575 GHz,本振频率为1.571 GHz,中频频率为4 MHz时,本振功率为0 dBm,电压转换增益为19.22 dB,输入3阶交调点为21.93 dBm,单边带噪声系数为11.74 dB.混频器工作电压为1.8V,功耗为3.66 mW,核心电路版图面积为0.207 5mm2.
混频器、吉尔伯特、高线性度、闪烁噪声
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TN453(微电子学、集成电路（IC）)
2016-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
502-506
