低温漂系数共源共栅CMOS带隙基准电压源
设计了一种低温漂系数的共源共栅CMOS带隙基准源,采用自偏置共源共栅结构,提高了电路的电源抑制比,降低了电路的工作电源电压.采用不同温度下从输出支路抽取不同值电流的电路结构,在低温段抽取一个正温度系数电流,在高温段再注入一个较小值的正温度系数电流,达到降低温漂系数的目的.在0.5μm CMOS工艺下,Cadence Spectre电路仿真的结果表明,温度特性得到了较大改善,在-35℃～125℃温度范围内,带隙基准源的温漂系数为1.5×10-6/℃,电源抑制比为65 dB.
带隙基准电压源、共源共栅、低温漂系数、电流抽取
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61471310
2016-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
488-492
