期刊专题

一种低温漂超低功耗带隙基准电压源

引用
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低温漂超低功耗的带隙基准电压源.采用无电阻电路结构,使基准电压源具有了超低功耗性能.基于分段线性电流模技术,引入滤波电容,极大地降低了温漂系数,稳定了输出电压.利用Cadence Spectre EDA软件,对电路进行设计和仿真.结果表明,在-50℃~100℃温度范围内,温漂系数仅为2.9×10-6/℃.在0.99~3 V的电压范围内具有稳定的基准输出.在1 kHz频率下电源抑制比为-71.28 dB.整个带隙基准源的功耗仅为185.9 nW.

带隙基准、电流模、温漂、功耗

46

TN432(微电子学、集成电路(IC))

2016-09-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

458-462

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

微电子学

1004-3365

50-1090/TN

46

2016,46(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn

打开万方数据APP,体验更流畅