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一种超高频RFID阅读器中的双环锁相环

引用
采用GF 130 nm CMOS工艺,设计了一种低功耗低噪声的电荷泵型双环锁相环,该锁相环可应用于符合国际及中国标准的超高频射频识别阅读器芯片.通过对双环锁相环在带宽和工作频率上的合理设置,以及对压控振荡器中变容二极管偏置电阻及电荷泵中参考杂散的理论分析和优化设计,改进了锁相环电路功耗和噪声性能.仿真结果表明,该锁相环在输出工作频率范围为840~960 MHz时,功耗为31.21 mW,在距中心频率840.125 MHz频偏100 kHz处的相位噪声为-108.5 dBc/Hz,频偏1 MHz处的相位噪声为-132.3 dBc/Hz.与同类锁相环相比较,本文电路在噪声和功耗方面具有一定优势.

射频识别、锁相环、压控振荡器、电荷泵、分频器

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TP391.44;TN911(计算技术、计算机技术)

2016-09-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

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2016,46(4)

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