一种新型4H-SiC双极结型晶体管的研究
研制了一种功率型4H-SiC双板结型晶体管.通过采用深能级降低工艺和一氧化氮退火钝化工艺,提高了电流增益.详细研究了发射极-基极几何结构与电流增益的关系,发现随着发射极线宽或发射极-基极间距的逐渐增加,最大电流增益也逐渐提高并趋于饱和.器件在反向阻断电压1 200V时漏电流为5.7 μA.在基极电流为160mA时集电极电流达11 A,电流增益达到68.
4H-SiC、双极晶体管、电流增益、击穿电压
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TN311.7;TN304.24(半导体技术)
2016-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
412-414,418
