0.35μm SiGe BiCMOS隔离深槽表面形貌研究
针对0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究.仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h2、深槽顶部开口宽度Wtp以及刻蚀掩蔽氧化层残留厚度h3是影响深槽表面形貌的主要因素;当h2=220 nm,Wtp=0.7～0.9μm,h3=150～200 nm时,获得了较好的深槽表面形貌,其隔离漏电流小于0.05 nA/μm,可用于0.35 μm SiGe BiCMOS工艺的隔离.
深槽隔离、表面形貌、0.35μm SiGe BiCMOS、SiGe HBT
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2016-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
407-411
