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一种快速瞬态响应的无片外电容LDO

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设计了一种快速瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).采用具有摆率增强作用的缓冲级电路,可以在不额外增加静态电流的同时检测输出端电压,在负载瞬间变化时增大功率器件栅极电容的充放电电流.缓冲级电路还引入了简单的负反馈技术,增加了环路的相位裕度.采用SMIC 180 nm的CMOS工艺进行设计和仿真.仿真结果表明,当输入电压为1.4~5 V时,该LDO的输出电压为1.2V,最大负载电流为300 mA;负载电流在1 mA和300 mA间变化时,最大过冲电压为76.5 mV,响应时间仅为1.5 μs.

摆率增强、缓冲级、快速瞬态响应、无片外电容、线性稳压器

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TN402(微电子学、集成电路(IC))

国家自然科学基金资助项目61201040;61301006;高等学校学科创新“引智计划”资助项目B14010

2016-07-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

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2016,46(3)

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