一种高性能曲率补偿带隙基准源的设计
在传统带隙基准的基础上,利用曲率补偿和预稳压结构,设计了一种高性能带隙基准源.利用MOS管在亚阈值区域时的指数特性,对基准电压进行曲率补偿,使用预稳压结构提高电源抑制能力.该电路结构简单,实现了较宽的电压输入范围(2.5~10 V).在UMC 0.25 μm BCD工艺上进行仿真,结果表明,电源电压为2.5~10 V,基准电压变化峰峰值为142 μV;温度在-40℃~150℃内,电路的温度系数为8.0×10-7/℃;低频时,电源抑制比为-95 dB;电源电压为5V时,静态功耗电流为10.4 μA.
带隙基准、亚阈值、预稳压、温度系数
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TN433(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金面上项目61271090;四川省科技支撑计划资助项目2015GZ0103
2016-07-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
328-331,335