一种40nm MOSFET版图相关的波动模型建立
针对版图邻近与工艺波动因素对40 nm MOSFET器件物理效应变化和性能波动的影响进行分析,提出一种基于BSIM4.5的新型模型,修正原有模型的阈值电压和迁移率机制,有效地实现了版图邻近效应的建模.该模型主要考虑了相邻栅极间距psf和pss,相邻有源区的横向间距sodx1和sodx2,以及纵向间距sody对器件性能的影响.基于国内先进的40 nm工艺平台,对器件的Vthsat,Idsat,Vthlin和Idlin性能进行监测,得到相邻栅极间距对饱和电流和闲值电压分别有15％和30 mV的影响,横纵向有源区间距对饱和电流和阈值电压分别有1.5％和4 mV的影响,从而得到拟合度较好的仿真模型.结果表明,建立的模型能够有效降低结构仿真误差,大大提高设计人员的设计效率和准确性.
版图、Spice模型、MOSFET
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TN386(半导体技术)
2016-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
273-276,281
