一种应用于WLAN的高线性度CMOS功率放大器
基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种应用于WLAN的高线性度CMOS AB类功率放大器.电路采用两级结构和片外匹配网络.为了实现高线性度,采用电容补偿技术,并选择合适的偏置点以减小gm的3次非线性,在绑线和PCB走线时,利用HFSS进行了精确的建模.该功率放大器供电电压为1.8V和3.3V,后仿结果显示,在2.45 GHz处的输出1 dB压缩点P1dB为25.3 dBm,功率附加效率PAE为33％;在WLAN802.11g测试环境下,输入64QAM信号进行仿真,输出误差向量幅度EVM和频谱掩膜均满足指标要求,最大线性输出功率为15 dBm.
高线性度、电容补偿、HFSS建模、64QAM信号
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TN432;TN722.7+5(微电子学、集成电路（IC）)
2016-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
178-182
