一种基于中和电容的60 GHz CMOS差分LNA
针对毫米波频段下硅基CMOS晶体管的栅漏寄生电容严重影响放大器的增益和隔离度的问题,采用交叉耦合中和电容抵消其影响,设计了一款60 GHz三级差分共源极低噪声放大器(LNA).为减小级间匹配无源器件的损耗,节省芯片面积,采用变压器进行级间耦合.基于SMIC55 nm RF CMOS工艺,进行了电路原理图和版图的设计与仿真.仿真结果显示,该LNA输入输出匹配良好,功率增益为21.1 dB,3 dB带宽为57.3～61.5 GHz,噪声系数为5.5 dB,输出1 dB压缩点为-0.64 dBm,功耗为34.4 mW,芯片尺寸为390 μm×670 μm.
低噪声放大器、中和技术、变压器
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TN722.3(基本电子电路)
中国科学院国际合作局对外合作重点资助项目172511KYSB20130108
2016-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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