一种新型二分电容DAC的设计
为了进一步减小电容阵列DAC占用的面积,提出了一种可用于SAR ADCs的二分电容阵列(三段电容阵列,T-SC)结构.与传统二段电容阵列相比,提出的二分电容阵列在不增加对电容匹配性要求的前提下,减少了芯片面积.在理论上分析了该结构的电容失配和寄生效应,归纳提出了一种计算电容阵列DACDNL的简易公式.Matlab仿真结果与理论分析有较好的一致性,三段电容阵列结构能够实现较好的二进制权重特性;根据提出的计算DNL的简易公式进行参数设计,仿真DNL标准偏差为0.51 LSB,与理论计算0.5 LSB相差0.01 LSB.
电容DAC、电容失配、非线性、SAR ADC、小面积
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TN453(微电子学、集成电路（IC）)
2016-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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