超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究
针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD) LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究.通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化.通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善.实验表明,超薄层高压SOI LVDLDMOS的耐压达到644 V,比导通电阻为24.1 Ω·mm2,击穿时埋氧层电场超过200 V/cm.
超薄SOI层、线性变掺杂、高压LDMOS、耐压模型、RESURF
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TN386(半导体技术)
中央高校基本科研业务费资助项目ZYGX2013J043;国家重点实验室开放课题KFJJ201203
2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
812-816
