一种改进的SOI Flash存储器
提出了一种缩短SOI Flash存储器浮栅长度的改进结构.对采用改进结构的器件进行仿真,结果表明,改进型结构与传统型结构相比,其存储窗口由3.7V提升到4.9V,提升了32％;在相同的阈值电压改变量(编程和擦除过程中阈值电压偏移量分别为3.5V/-3.SV)的情况下,所需的编程时间缩短了73％,擦除时间缩短了64％,表明改进型结构的性能得到了显著提高.
SOI Flash存储器、浮栅、阈值电压偏移量
45
TN403(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61106009&61076073
2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
809-811,816
