半导体器件金铝键合的寿命研究
金铝键合失效是MOSFET器件常见的失效模式之一,主要是由于金属间化合物的生成,影响了金铝键合的接触电性能,从而导致键合强度下降,接触电阻升高.针对这种失效模式,进行了三种不同高温条件下的加速寿命试验,并对这三种试验的器件进行金铝键合现象观察,对目前工艺水平下的金铝键合寿命进行了评估.
金铝键合、可靠性、加速试验、寿命预测
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TN406;TN305.93(微电子学、集成电路（IC）)
湖北大学校基金资助项目095181
2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
800-803
