一种低功耗环形振荡器的噪声分析与设计
介绍了一种采用CSMC O.153 μm CMOS工艺制作的差分环形振荡器.分析了环形振荡器延时单元的选取和设计原理,以及输入差分对管跨导和负载电阻对环振相位噪声的贡献,得到负载为线性区偏置MOS管时低功耗低相位噪声环振的设计方法.在相位噪声变化较小时,采用电容阵列结构拓宽了环形振荡器频率的调谐范围.测试结果表明,该环形振荡器输出频率范围为513 MHz～1.8 GHz;在振荡频率为1.57 GHz频偏1 MHz处,相位噪声为-84.11 dBc/Hz,功耗为3.88 mW.
环形振荡器、延时单元、电容阵列、射频CMOS集成电路
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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