一种新型的抑制地线反弹噪声的Tri-Mode MTCMOS电路结构
提出了一种新型的MTCMOS电路结构.该结构在Tri-Mode MTCMOS电路基础上,结合叠加门控技术,进行电路结构改进,解决了Tri-Mode MTCMOS电路结构在高电压情况下抑制地线反弹噪声效果不明显的问题.电路采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计,使用HSPICE进行仿真.仿真结果表明,该结构与传统的MTCMOS电路相比,平均地线反弹减少约70％,比Tri-Mode MTCMOS结构提高15％以上,特别在高电压情况下,平均提升40％.
MTCMOS、地线反弹、叠加门控技术、三相多阈值电路
45
TN47(微电子学、集成电路（IC）)
2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
657-660,665
