一种用于VCO供电的低噪声LDO
设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1 MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO.根据LDO基本结构对输出噪声进行详细分析;在带隙基准输出端构造一低通滤波器,有效移除了带隙基准对LDO输出噪声的影响;提出用二极管连接的MOS管代替LDO中的分压电阻,使得输出噪声得到进一步优化.电路采用IBM 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真,在10 kHz频率处,PSRR为-70 dB,输出噪声为21.01 nV· Hz-1/2;在1 MHz频率处,PSRR为-47 dB,输出噪声为6.187 nV· Hz-1/2;在10 MHz频率处,PSRR为-27 dB,输出噪声为6.244 nV· Hz-1/2.
低压差线性稳压器、无片外补偿电容、低噪声、高电源抑制比
45
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61306034;61302005
2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
602-606
