20 GHz压控振荡器的设计与实现
基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款中心频率为20 GHz的压控振荡器.对压控振荡器的尾电流源噪声、交叉耦合MOS管尺寸、电感、调谐范围等诸多参数进行了性能优化.经流片后测试,该振荡器的输出频率覆盖范围为17.78～22.13 GHz,1 MHz处的相位噪声为-100 dBc,IV电压供压下的功耗为5.1 mW.
压控振荡器、高频、CMOS、性能优化
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家高技术研究发展计划基金资助项目2011AA010405
2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
577-580
