4H-SiC MESFET新结构的特性研究
提出了一种具有阶梯沟道和浮空金属板的新型4H-SiC MESFET结构.在双凹型4H-SiC MESFET的栅漏之间加入浮空金属板,并引入阶梯沟道,减少了靠近漏端的栅边缘的电场积聚,提高了击穿电压.对提出的结构进行二维数值模拟,结果表明,该结构的击穿电压达到232 V,相对于双凹型4H-SiC MESFET的击穿电压103 V,提高了125％,其饱和漏电流相对提高了4.1％,截止频率为15.1 GHz,最大振荡频率为69.2 GHz.该结构在击穿电压提高125％时,没有严重降低截止频率.
4H-SiC、金属半导体场效应晶体管、击穿电压
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TN386.3(半导体技术)
2015-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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