低噪声双环路压控振荡器的设计
基于SMIC 65 nm CMOS RF工艺库,设计了一款低噪声差分型双环路压控振荡器.针对振荡器中的延迟单元,引入PMOS交叉耦合正反馈技术,以提高输出波形的摆幅;采用Maneatis负载结构,改善输出波形的对称性;利用次级延迟环路输入MOS管的开关作用,减小振荡周期中PMOS管的沟道热噪声对输出节点的影响,以提高相位噪声性能.后仿真结果表明,在1.2V电源电压下,可控电压调节范围为0.1～0.7 V时,输出频率调谐范围为3.8～1.63 GHz,在振荡频率为3.8 GHz处的相位噪声为-100.4 dBc/Hz@1 MHz,在1.63 GHz处的相位噪声为-103.5dBc/Hz@1 MHz,功耗为13.2 mW.
压控振荡器、Maneatis结构、双环路、相位噪声
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2015-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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