埋层深度对Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响
研究了P埋层深度对体硅Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响.分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓度较低,器件比导通电阻较大;当P型埋层位于漂移区中部时,器件的BV2 /Rs,on设计优值最大.指出了P型埋层在漂移区不同区域时击穿点的位置,以及对应的漂移区浓度取值范围,为横向高压Triple-RESURF LDMOS的设计提供了参考.
Triple-RESURF、击穿电压、LDMOS、纵向电场
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
四川省教育厅科研项目14ZB0132;西华大学校级重点科研项目z1323318
2015-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
253-257
