交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响
介绍了交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响,重点分析了亚微米CMOS集成电路中交流应力下的热载流子效应、电迁移、栅氧化层介质击穿效应.通过与直流应力下器件可靠性的对比,分析交流信号与直流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性影响的差异.
可靠性、热载流子效应、电迁移、氧化层击穿、交流影响
45
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2015-03-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
145-148
可靠性、热载流子效应、电迁移、氧化层击穿、交流影响
45
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2015-03-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
145-148
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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