CMOS低相位噪声压控振荡器的设计
基于65 nm CMOS标准工艺库,设计了一个工作频率在10 GHz的具有低相位噪声的CMOS电感电容型压控振荡器.该压控振荡器选用CMOS互补交叉耦合型电路结构,采用威尔逊型尾电流源负反馈技术来降低相位噪声.仿真结果表明,此压控振荡器工作频率覆盖范围为9.9～11.2 GHz,调谐范围为12.3％,中心频率为10.5 GHz,在频率偏移中心频率1 MHz下的相位噪声为-113.3 dBc/Hz,核心功耗为2.25 mW.
VCO、相位噪声、Q值、负反馈
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TN453(微电子学、集成电路（IC）)
2015-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
23-25,31
