一款75 V 功率场效应管失效分析与改进
对一款75 V功率场效应管失效芯片进行了分析.通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因.在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×105 V/cm的要求.设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高至94.7V,硅表面最大电场为2.17×105 V/cm,小于临界电场2.2×105 V/cm,降低了最大碰撞电离率,提高了器件的可靠性.
功率场效应管、失效分析、表面电场、碰撞电离率、可靠性
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TN386(半导体技术)
国家自然科学基金重大项目60990320;60990323;国家高技术研究发展计划863计划重大项目2012AA012305;国家自然科学基金面上项目61271090;四川省科技支撑计划项目2012GZ0101
2015-01-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
829-832