期刊专题

VDMOS栅引线脱落引起的阈值电压测试错误分析

引用
讨论了栅引线脱落导致栅悬空条件下,VDMOS器件的电流传输过程.通过器件测试与仿真,指出栅引线脱落引起阈值电压测试错误的原因.提出一种将传统“两线法”与“三线法”相结合的阈值电压测试方法,避免栅引线脱落导致阈值电压测试的误判.

VDMOS、栅引线脱落、阈值电压

44

TN406(微电子学、集成电路(IC))

国家自然科学基金资助项目60906051;中央高校基本业务费资助项目7210531201

2015-01-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

825-828

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

微电子学

1004-3365

50-1090/TN

44

2014,44(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn

打开万方数据APP,体验更流畅