SONOS存储器中隧穿氧化层淀积预清洗工艺研究
介绍了当今业界流行的两种隧穿氧化层淀积预清洗工艺:改进的RCA预清洗工艺以及HF-last预清洗工艺.通过实验对比各自优缺点,分析差异产生的根本原因.相对于改进的RCA预清洗工艺,HF-last预清洗工艺使SONOS存储器阈值电压窗口增大约600 mV.但可靠性测试结果表明,HF-last工艺会降低器件的耐烘烤和耐擦写循环能力.进一步的电荷泵对比实验结果表明,HF-last工艺引起的耐烘烤和耐擦写循环能力的降低,分别由Si-SiO2界面态增加和隧穿氧化层变薄引起.
SONOS、RCA、HF-last、可靠性、界面态
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TN405(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金青年基金资助项目61204038
2015-01-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
822-824,832