电流模驱动型抗EMI LIN驱动器设计
为了解决现有的电压模驱动型LIN驱动器在抗电磁干扰(EMI)方面的诸多不足,基于电流模驱动,设计了一种抗EMI性能良好的LIN驱动器.电路采用0.5 μm60VBCD工艺制造,依据IEC62132-4标准进行直接功率注入(DPI)仿真[1].结果表明,在150 kHz～1GHz频率范围内,在强度高达5W的EMI信号下,该驱动器输出信号占空比变化不超过3％,传输延时变化不超过2.4 μs.相较于电压模驱动型电路较大的传输延时变化(＞10μs)和占空比变化(＞23％),设计的驱动器在保持较低电磁辐射(EME)的同时,抗EMI性能得到较大的提高.
LIN驱动器、抗EMI、电流模驱动、BCD工艺
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家极大规模集成电路制造装备及成套工艺重大专项2012ZX02503-003
2015-01-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
767-770
