一种低开销的抗SEU锁存器
随着微电子技术的不断进步,集成电路工艺尺寸不断缩小,工作电压不断降低,节点的临界电荷越来越小,空间辐射引起的单粒子效应逐渐成为影响芯片可靠性的重要因素之一.针对辐射环境中高能粒子对锁存器的影响,提出了一种低开销的抗SEU锁存器(LOHL).该结构基于C单元的双模冗余,实现对单粒子翻转的防护,从而降低软错误发生的概率.Spice模拟结果显示,与其他相关文献中加固锁存器相比,LOHL在电路面积、延迟和延迟-功耗积上有优势.
锁存器、C单元、软错误、双模冗余
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TN386(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61274036,61106038,61106020,61371025;博士点基金资助项目20110111120012
2014-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
679-682,686
