一种高性能宽带直接变频射频前端设计
提出一种宽带(250 MHz～4.7 GHz)无电感BiCMOS射频前端结构,包含低噪声跨导放大器(LNTA)、带电阻无源混频器和跨阻级.低噪声跨导放大器使用了噪声和线性度消除技术,例如输入交叉耦合结构、互补输入和电流复用技术.带电阻无源混频器采用退化电阻来提高线性度.仿真结果表明,当电源电压为3.3V时,总电流为9.38 mA,噪声系数为9.8 dB(SSB),电压转换增益为20 dB,输入3阶交调为+11.8 dBm.
低噪声跨导放大器、无源混频器、宽带、噪声消除、非线性消除
44
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
华东师大科技创业基金会78210082
2014-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
661-665
