亚100 nm硅集成技术融合趋势
对亚100 nm硅集成技术融合趋势进行了展望.各项新技术使MOSFET器件可以按比例缩小到10nm以下节点,让摩尔定律在未来很长时间继续有效.另一方面,随着硅通孔等技术的日益成熟,器件、芯片、晶圆和介质层之间将以各种灵活的方式进行互连,实现各式各样的三维硅集成.在摩尔定律指引下的器件小型化技术、沿着后摩尔定律方向的三维硅集成技术,以及两者之间的相互融合,是亚100 nm硅集成技术的发展方向.
MOSFET、器件小型化、硅通孔、系统芯片、系统封装、三维硅集成
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TN47(微电子学、集成电路（IC）)
国家02科技重大专项资助项目2013ZX02301-001.
2014-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
515-518,526
