EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较
对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等.HM62256的翻转阈值为9.0× 106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/S. AT28C256的闩锁阈值为2 × 107Gy(Si)/s,存储单元翻转阈值高于3.0×108 Gy(Si)/s.对于SRAM,其翻转阈值远低于闩锁阈值;而对于EEPROM,在瞬时辐照下,闩锁阈值远低于存储单元的翻转阈值.基于两种存储器的数据存储原理,分析了SRAM和EEPROM瞬时剂量率效应差异的原因.
浮栅器件、EEPROM、SRAM、剂量率、闩锁阈值、翻转阈值
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TN432;TL99(微电子学、集成电路（IC）)
2014-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
510-514
