应用于TD-LTE的SiGe BiCMOS功率放大器的设计
针对准第四代无线通信技术TD-LTE中2.570～2.620 GHz频段的应用,设计了一款基于IBM SiGe BiCMOS7WL工艺的射频功率放大器.该功率放大器工作于AB类,采用单端结构,由两级共发射极电路级联构成,带有基极镇流电阻,除两个谐振电感采用片外元件外,其他全部元件均片上集成,芯片面积为(1.004×0.736)mm2.测试结果表明,在3.3 V电源电压下,电路总消耗电流为109 mA,放大器的功率增益为16dB,输出1 dB增益压缩点为15 dBm.该驱动放大器具有良好的输入匹配,工作稳定.
SiGe BiCMOS、TD-LTE、功率放大器
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TN431(微电子学、集成电路（IC）)
2014-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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