氮化对蓝宝石衬底上AlGaN/GaN异质结材料性能的影响
研究了不同氮化条件对蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN异质结材料特性的影响.研究表明,随着氮化过程NH3流量的增大,GaN外延层的晶体质量得到了改善,GaN内应力释放,但是AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的迁移率有所恶化.讨论了上述现象出现的原因.
AlGaN/GaN、氮化、异质结材料、蓝宝石衬底
44
TN304(半导体技术)
2014-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
388-391
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AlGaN/GaN、氮化、异质结材料、蓝宝石衬底
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TN304(半导体技术)
2014-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
388-391
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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