双栅无结型场效应晶体管的设计与优化
利用三维数值仿真工具,对双栅无结型场效应晶体管进行了数值模拟,研究了沟道掺杂浓度深度分布对晶体管性能的影响,并对比分析了当沟道长度缩小到10 nm及以下时器件的电学特性.仿真结果表明,相比于沟道为均匀掺杂分布的器件,具有中间低的沟道掺杂深度分布的双栅无结型场效应晶体管具有更优的开关电流比、漏致势垒降低、亚阈值斜率等电学性能和短沟道特性.
无结型场效应晶体管、掺杂深度分布、短沟道效应、双栅
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TN386.1(半导体技术)
2014-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
384-387
