沟道形状对无结型多栅器件性能影响探究
随着集成电路特征尺寸进入纳米尺度,摩尔定律的延续受到一定的挑战,纳米技术代的晶体管亟需全新的材料、器件结构和工艺集成技术.在器件结构方面,无结型场效应晶体管由于其近似理想的电流电压特性、优良的等比例缩小能力以及极其简单的制造工艺,受到了人们广泛的关注.通过三维数值仿真工具Synopsys Sentaurus 3D TCAD,对多栅的无结型MOS晶体管进行了数值模拟仿真.并在此基础上探究了无结型器件沟道形状对其电学特性的影响,提出了具有倒角正梯形沟道的多栅无结型晶体管结构,验证了其相较于普通无结多栅型器件更加优良的电学特性,以及栅长下降至20 nm以下节点时对短沟道效应的进一步抑制作用.
无结型晶体管、沟道形状、短沟道效应
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TN386.1(半导体技术)
2014-08-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
380-383