一种基于阈值电压的新型基准电压源设计
SOC及智能功率集成电路对基准电压源提出了很高的要求.基于阈值电压和BiCMOS工艺,设计了一种新型的电流模式基准电压源.利用NMOS管阈值电压的线性负温度系数产生CTAT电压,与一种常见的PTAT电压相加,产生了对温度不敏感的基准电压.电路基于TSMC0.5 μm BiCMOS工艺,采用Cadence Spectre对电路的各项性能进行了仿真验证.仿真结果表明,在宽温度范围(-40℃到120℃)内温度系数为9×10-6/℃,基准电压值为951 mV.
阈值电压、温度系数、强反型区、带隙基准源
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
2014-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
293-296,300
