10.3969/j.issn.1004-3365.2013.05.034
基于结构函数的功率VDMOS器件热特性分析
基于结构函数理论,运用改进电学测试法,对同一器件管壳与基板间的不同界面进行研究,发现其积分结构函数曲线发生了分离；通过该分离点确定器件稳态结壳热阻值,获得了器件内部各结构层的热阻分布.比较测试结果与理论值,两者基本一致.该测试方法简单、方便,比传统热阻测试法准确且重复性好.对比了采用不同封装工艺的器件的微分结构函数,观察发现,其峰值位置发生了偏移；进一步的超声波扫描证实了偏移的原因是存在焊料层空洞,提出了相应的改善措施.研究表明,利用结构函数理论分析功率VDMOS器件热特性是一种准确而可靠的方法.
结构函数、功率器件、热阻、焊料层
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TN386.1(半导体技术)
2013-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
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